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厂商型号

SBC857BDW1T1G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT SS GP XSTR PNP 45

内部编号

277-SBC857BDW1T1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:29140
1+¥1.2992
10+¥1.1761
100+¥0.4171
1000+¥0.2735
3000+¥0.212
9000+¥0.1846
24000+¥0.1641
45000+¥0.1436
99000+¥0.1231
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:15000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:318000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SBC857BDW1T1G产品详细规格

规格书 SBC857BDW1T1G datasheet 规格书
BC/SBC85xBDW1T1G Series
SBC857BDW1T1G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
集电极最大直流电流 0.1
最小直流电流增益 220@2mA@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大功率耗散 380
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 100(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 2
最大集电极基极电压 50
供应商封装形式 SC-88
筛选等级 Automotive
最大集电极发射极电压 45
类型 PNP
引脚数 6
铅形状 Gull-wing
系列 *
标准包装 3,000
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 SMD/SMT
增益带宽产品fT 100 MHz
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V
工厂包装数量 3000
品牌 ON Semiconductor
直流电流增益hFE最大值 475 at - 2 mA at - 5 V
集电极 - 发射极饱和电压 - 0.65 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 45 V
Pd - Power Dissipation 380 mW
集电极 - 基极电压VCBO - 50 V
最低工作温度 - 55 C
封装/外壳 SOT-363-6
集电极最大直流电流 - 100 mA
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
直流集电极/增益hfe最小值 220 at - 2 mA at - 5 V
RoHS RoHS Compliant

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